A | B | AND | NAND | OR | NOR | XOR |
0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 1 | * |
0 | 1 | 0 | 1 | 1 | 0 | * |
1 | 0 | 0 | 1 | 1 | 0 | * |
1 | 1 | 1 | 0 | 1 | 0 | * |
読み書きともに可能なメモリで、電源を切ると記憶内容が消える。(揮発性)
電荷の有無によりビット列を記憶。(コンデンサに電荷を蓄えた状態 か否かによって1ビットを表現する。)時間がたつと電荷を失うため, リフレッシュによる再書き込みが必要。主記憶として使われるRAM。 大容量で構成されやすいため、SRAMより電力を食わない。
電気的に消去ができ大容量。不揮発性でICメモリの一種。EEPROMの一種。 一括して電気的にデータの書き込みが可能。
著作権 | 特許権 | |
法の主旨 | 文化の発展 | 産業の発展 |
管轄庁 | 文化庁 | 特許庁 |
権利の内容 | 狭義の著作権:財産権の一つ 著作者人格権:名誉権の一つ |
発明の実施を占有する権利 |
保護対象 | 創造性表現 (プログラム言語・規約・解法 は保護しない) |
アイデア |
権利の発生 | 著作物を作成した時に自動的 に発生 |
特許庁に出願し,審査を通過し, 登録された時に発生 |
保護の期間 | 著作者死後50年,公表後50年 |
出願広告から15年 (出願から20年以内) |
保護の権利 | 知らなかったで済む | 知らなかったで済まない |