트랜지스터(TRANSTOR)
트랜지스터는 기본적으로는 전류를 증폭할 수 있는 부품이다.
아날로그 회로에서는 매우 많은 종류의 트랜지스터가 사용되지만, 디지털 회로에서는 그다지 많은 종류는 사용하지 않는다.
디지털 회로에서는 ON 아니면 OFF의 2치신호를 취급하기 때문에 트랜지스터의 증폭 특성에 대한 차이는 별로 문제가 되지 않는다.
회로 기능은 대부분이 IC로 처리하는 경우가 많다.
디지털 회로에서 트랜지스터를 사용하는 경우는 릴레이라고 하는 전자석 스위치를 동작시킬 때(릴레이는 구동전류를 많이 필요로 하기 때문에 IC만으로는 감당하기 어려운 경우가 있다)나, 발광 다이오드를 제어하는 경우 등이다.
트랜지스터는 반도체의 조합에 따라 크게 PNP 타입과 NPN 타입이 있다.
그리고, 트랜지스터는 용도와 상기의 타입에 따라 다음과 같은 명칭이 붙여진다.
2SA××× PNP 타입의 고주파용
2SB××× PNP 타입의 저주파용
2SC××× NPN 타입의 고주파용
2SD××× NPN 타입의 저주파용
PNP 타입과 NPN 타입에서는 전류의 방향이 다르다.
마이너스 전압측을 접지로, 플러스 전압측을 전원으로 하는 회로의 경우, NPN 타입 쪽이 사용하기 쉽다.
1)트랜지스터의 내부
트랜지스터의 핀:이미터(E), 컬렉터(C), 베이스(B)
(A)내부의 구조.
(B)그림 기호
npn형 pnp형
2)트랜지스터에 흐르는 전류
가.전압을 가하는 방법
o. 일반적으로 VCE > VBE
o. B와 C사이의 pn접합면(VBE) : 순방향 전압
o. C와 B사이의 pn접합면(VCB) : VCE - VBE:역방향 전압
위 전압 상태:능동상태. 증폭작용함.
(그림. 트랜지스터에 전압을 가하는 방법)
나.전류의 흐름
o. 능동 상태일 때
a. IC는 IB에 의해 크게 변화
b. IB는 VBE에 의해 크게 변화
c. IC는 VBE에 의해 크게 변화 되지 않음
d. IE = IB + IC
3)내부에서 전자의 움직임
가.C-B 역전압:전자.정공 이동 없음.전류 흐르지 않음
나.B-E 순방향:E에서 B로 전자 이동. 전자의 대부분 C-B 접합면 도달.
< 결론 >
o.IB는 대단히 적다.(IE = IB + IC)
o.IE, IB , IC는 VBE 에 의해 크게 변화.
o.VCB = VCE - VBE는 단순히 C-B 접합면 가까이 도달한 전자를 C속으로 끌려가게 할뿐 IC에는 영향을 주지 않는다.
(그림. 트랜지스터의 전자의 움직임)
트랜지스터의 리드트랜지스터의 종류에 따라 리드의 내용이 다르기 때문에 매뉴얼 등을 참조하여 확인할 필요가 있다.
2SC1815의 경우
품명이
인쇄되어 있는 평평한 면을 바라 보았을 때,
오른쪽 리드가 베이스
중앙의 리드가
컬렉터
왼쪽의 리드가 이미터
이다.
2SD880의 경우
품명이 인쇄되어 있는 면을 바라 보았을 때,
오른쪽 리드가 이미터
중앙의 리드가 컬렉터
왼쪽의 리드가 베이스
이며, 2SC1815와는 반대이다.