***¹ÝµµÃ¼¿ë¾î¿¡ °üÇØ °£·«È÷ ±â·ÏÇÑ °ÍÀÔ´Ï´Ù.*** |
---|
|
Acceptor |
¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚƯ¼ºÀ» p-TypeÀ¸·Î Çü¼ºÇϱâÀ§ÇÑ ºÒ¼ø¹° ¿øÀÚ·Î ¿ø¼ÒÁÖ±âÀ²Ç¥»óÀÇ 3Á· ¿øÀÚ(Boron, Gallium and Indium)¸¦ ¸»Çϸç, Germaium(Ge)À̳ª Silicon(Si)°ú °°Àº ´ÙÀ̾Ƹóµå °áÁ¤±¸Á¶·Î °øÀ¯°áÇÕÀ» ÇÏ°í ÀÖ´Â ¹ÝµµÃ¼ °áÁ¤¼Ó¿¡ ºÒ¼ø¹°(Dopant)·Î¼ ¹Ì·® È¥ÇÕÇϸé 3°¡ÀÇ ¿øÀÚ´Â ¹ÝµµÃ¼ ¿øÀÚ·Î ºÎÅÍ ÀüÀÚ 1°³¸¦ ÃëÇÏ¿© ¿ÏÀüÇÑ °áÁ¤±¸Á¶ÀÇ °øÀ¯°áÇÕÀ» ÀÌ·ç·Á´Â ¼ºÁúÀÇ ¹ÝµµÃ¼ ¹°Áú·Î µÈ´Ù. |
Acetic Acid |
¹«»ö, Èֹ߼º ±âü·Î ´ÞÄÞÇÑ ³¿»õ°¡ ³ª¸ç, Çã¿ë³óµµ´Â 1000 ppm, ÀÎÈÁ¡ 43¡ÆCÀÇ ¼ºÁúÀ» °®°í ÀÖ´Â ÈÇÕ¹°ÀÌ´Ù. ¹ÝµµÃ¼ °øÁ¤¿¡¼ Ç¥¸é Cleaning ¶Ç´Â Nitride Acid(HNO3 |
Active Element |
ÀüÀÚºÎÇ°À» ´Éµ¿¼ÒÀÚ¿Í ¼öµ¿¼ÒÀÚ·Î ³ª´©¾î »ý°¢ÇÏ´Â °æ¿ì°¡ Àִµ¥, ´Éµ¿¼ÒÀÚ´Â ºñ¼±Çü(Nonlinear) Ư¼ºÀ» ÀÌ¿ëÇÏ´Â ¼ÒÀÚ·Î ´ëÇ¥ÀûÀÎ °ÍÀ¸·Î´Â Áø°ø°ü, Transistor, FET(Field Effect Transistor), Diode µîÀÌ ÀÖ´Ù. |
Alloy |
µÎ Á¾·ù ÀÌ»óÀÇ ±Ý¼ÓÀÌ ¿ëÀ¶ÇÏ¿© È¥ÇյǴ Çö»ó ¶Ç´Â ±× °á°ú·Î ¾ò¾îÁø È¥ÇÕ ±Ý¼ÓÀ» ¸»ÇÑ´Ù. |
Aluminum |
¿øÀÚ¹øÈ£ 13ÀÎ 3Á· ¿ø¼Ò·Î ¹ÝµµÃ¼ ±â¼ú¿¡¼ Multilevel MetallizationÀ» Æ÷ÇÔÇÑ IC Metallization¿¡¼ °¡Àå ÀÚÁÖ »ç¿ëµÇ´Â ±Ý¼Ó¿ø¼Ò. ¼ø¼ö Alº¸´Ù Al Alloy³ª ¶Ç´Â ´Ù¸¥ Metal°úÀÇ Á¶ÇÕ¿¡ ÀÇÇؼ »ç¿ëµÇ¸ç, ³·Àº Sheet Resistance¿Í SiO2, Si3N4¿Í ÁÁÀº Adherence¸¦ °¡Áö°í ÀÖÀ¸¸ç, ÁõÂøÀÌ ½±°í, PatternÇü¼ºÀÌ ¿ëÀÌ ÇÏ´Ù´Â ÀåÁ¢ÀÌ ÀÖ´Ù. ÀÌ °ÍÀº Áø°øÁõÂø(Vacuum Evaporation)À̳ª Sputtering ¹æ¹ýÀ» ÀÌ¿ëÇÏ¿© ÈíÂø½ÃŲ´Ù. |
Ambient |
È®»ê(Diffusition) ¶Ç´Â ÀÌ¿Â ÁÖÀÔ °øÁ¤(Ion Implant)À» ÁøÇàÇÒ¶§ ÁÖÀ§ÀÇ Carrier Gas Á¾·ù¸¦ ¸»ÇÑ´Ù. |
Analog IC | Digital IC¿¡ ¹Ý´ëµÇ´Â ¸»·Î¼ Analog SignalÀ» Ãë±ÞÇÏ´Â ÁýÀûȸ·Î¸¦ ¸»ÇÑ´Ù. Analog IC¸¦ Ư¼º¿¡ µû¶ó ºÐ¸®ÇÏ¸é ¼±Çü µ¿ÀÛ¸¸À» ´ë»óÀ¸·Î ÇÑ Linear IC¿Í ºñ¼±Çü µ¿ÀÛÀ» ÇÏ´Â Nonlinear IC·Î ³ª´©¾î Áø´Ù. ±×·¯³ª Linear IC¶ó´Â ¸»Àº Digital IC¿¡ ´ëºñÇؼ »ç¿ëÇÏ´Â °æ¿ì°¡ ¸¹À¸¸ç, ÀÌ °æ¿ì¿¡´Â ³ÐÀº ¶æ¿¡¼ Analog IC¿Í °°Àº ¿ë¾î·Î »ç¿ëµÈ´Ù. |
Anion |
Çϳª ¶Ç´Â ±×ÀÌ»óÀÇ ÀüÀÚ¸¦ ¾ò¾î À½Àü±â¼ºÀ¸·Î º¯ÈµÈ IonÀÎ ¿ø¼Ò(atom) ¶Ç´Â ºÐÀÚ(molecule) |
Argon |
¾Æ¸£°ï, ¿øÀÚ¹øÈ£ 18ÀÎ 0Á· ºÒÈ°¼º ¿ø¼Ò·Î »ê¼Ò¿Í ÃëȯÇϸç, ¹«»ö, ¹«Ãë, ºñ°¡¿¬¼ºÀÇ ¼ºÁúÀ» °®´Â´Ù. |
ASIC |
Application Socific Integrated Circuit |
BB Rate | Book to Bill
Ratio |
Bipolar |
Bi´Â 2, Polar´Â Polarity, Áï ±Ø¼ºÀ» ¶æÇϹǷΠBipolar´Â ½Ö±Ø¼º ¶Ç´Â 2±Ø¼ºÀ̶ó´Â ¶æÀ¸·Î ¼ÒÀÚÀÇ µ¿ÀÛ¿¡ ´Ù¼ö Carrier¿Í ¼Ò¼ö Carrier, Áï ÀüÀÚ(Electron)¿Í Àü°ø(Hole)ÀÇ ¾çÂÊÀÌ °ü¿©ÇÏ°í ÀÖ´Â °ÍÀ» ÀǹÌÇÑ´Ù. BipolarÀÇ °¡Àå ÁÁÀº ¿¹°¡ º¸ÅëÀÇ TransistorÀÎ Á¢ÇÕÇü Transistor·Î¼ ÀüÀÚ¿Í Á¤°ø ¾çÂÊÀÇ µ¿ÀÛÀ¸·Î Transistor ÀÛ¿ëÀÌ ¾ò¾îÁø´Ù. |
Bipolar Transistor |
TransistorÀÇ µ¿ÀÛ¿¡ ÀüÀÚ(Electron)¿Í Àü°ø(Hole)À» µ¿½Ã¿¡ ÀÌ¿ëÇÏ´Â Transistor¸¦ ¸»Çϸç, ÀÌ°Í¿¡ ´ëÀÀÇÏ´Â ¸»¿¡ Unipolar Transistor°¡ Àִµ¥, ÀÌ´Â ÀüÀÚ ¶Ç´Â Àü°ø ÁßÀÇ ¾î´À ÇÑ Âʸ¸À» ÀÌ¿ëÇÏ´Â Transistor·Î MOS Transistor°¡ ´ëÇ¥ÀûÀÎ ¿¹ÀÌ´Ù. |
Buffer | ÈÇйÝÀÀ¿¡ ÀÖ¾î¼ ½ÇÁ¦·Î ¹ÝÀÀÇÏ´Â IonÀÇ ¼ö¸¦ ÀÏÁ¤ÇÏ°Ô À¯Áö½ÃÄÑ »ê(Acid)À̳ª ¿ëÁ¦ÀÇ ÈÇйÝÀÀ »óÅÂÀÇ ±Þ°ÝÇÑ º¯È¸¦ ¸·¾ÆÁִ ÷°¡¹°. |
Capacitor |
|
Carrier |
¹ÝµµÃ¼ ¹°Áú³»¿¡¼ Àü±âÁ¤º¸¸¦ Àü´ÞÇÏ´Â ¸ÅüÀÎ ÀüÀÚ(Electron)¿Í Àü°ø(Hole) |
CCD |
Charge Coupled Device |
Cell |
±â¾ï¼ÒÀÚ³»¿¡ Data¸¦ ÀúÀåÇϱâ À§ÇØ ÇÊ¿äÇÑ ÃÖ¼ÒÇÑÀÇ ¼ÒÀÚ ÁýÇÕÀ» ÁöĪÇÔ. D·¥ÀÇ ¼¿(Cell)Àº 1°³ÀÇ Transistor¿Í 1°³ÀÇ Capacitor·Î ±¸¼ºµÇ¾îÀÖ´Ù. |
Channel |
FET(Field Effect Transistor)ÀÇ Gate ¾Æ·¡ ºÎºÐÀÎ Source¿Í Drain»çÀÌ¿¡ Çü¼ºµÈ ´Ù¼ö CarrierÀÇ Åë·Î¸¦ ¸»Çϸç Àü·ù°¡ È帣´Â ±æ. FET¿¡¼´Â ÀÌ Ã¤³ÎÀÇ ÇüÅ¿¡ µû¶ó Àü·ùÀÇ È帧ÀÌ ´Þ¶óÁö´Âµ¥ ÀÌ°ÍÀº Gate¿¡ °¡ÇÑ Àü¾ÐÀ¸·Î Á¦¾îÇÑ´Ù. P-Channel°ú N-Channel µÎ°¡Áö°¡ ÀÖ´Ù. |
Chip |
Wafer»ó¿¡ ¼ÒÀÚ°¡°øÀÌ ³¡³ »óÅÂÀÇ °³°³ÀÇ IC¸¦ ¸»Çϸç, Die, Pellet°ú °°Àº ÀǹÌÀÇ ¿ë¾îÀÌ´Ù. |
CMOS |
Complementary
Metal Oxide Semiconductor |
Contamination |
¹ÝµµÃ¼ Wafer¿¡ ¹°¸®Àû ÈÇÐÀû Ư¼º¿¡ ¿µÇâÀ» ÁÖ´Â ¹°ÁúÀ» ¸»ÇÑ´Ù. |
Contact |
ÀûÃþµÇ¾î ÀÖ´Â ÀüµµÃþµéÀ» ¿¬°á½ÃÄÑ ÁÖ±â À§ÇÏ¿© Àý¿¬¹°¿¡ ±¸¸ÛÀ» ¶ÕÀº°ÍÀ» ¸»ÇÑ´Ù. |
CPU |
Central Processing Unit |
Critical Dimension |
MaskÀÇ Çü»óÀ» Wafer¿¡ ¿Å±â´Â °úÁ¤¿¡¼ Wafer¿¡ ÀçÇöµÈ PatternÀÇ ÃÖ¼Ò ¼±ÆøÀ» ¸»ÇÏ´Â °ÍÀ¸·Î Á¤ÇØÁø CD°ªÀ» ¸¸Á·½ÃÄÑ¾ß ¿øÇÏ´Â Device¸¦ ±¸¼ºÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. |
Cum Yield |
FAB IN¿¡¼ Á¦Ç°À» ÃâÇÏÇϱ⠱îÁö 4Group(FAB, PROBE, PKG, TEST) Yield¸¦ ÇÕ»êÇÑ ¼öÀ². |
Device |
´Éµ¿Àû ±â´É, ºñÁ÷¼±Àû ±â´É, º¯È¯ ±â´É µî°ú °°Àº Ư¼öÇÑ ±â´ÉÀ» °¡Áø ºÎÇ° ¶Ç´Â ÀåÄ¡¸¦ ¸»Çϸç, °¡°ø ¶Ç´Â Á¶¸³ÀÌ ¿Ï·áµÈ Á¦Ç°À» ¸»ÇÑ´Ù. |
Die |
Wafer»ó¿¡ ¼ÒÀÚ°¡°øÀÌ ³¡³ »óÅÂÀÇ °³°³ÀÇ IC¸¦ ¸»Çϸç, Chip, Pellet°ú °°Àº ÀǹÌÀÇ ¿ë¾îÀÌ´Ù. |
Dielectric |
Àý¿¬Ã¼ ¶Ç´Â À¯Àüü·Î¼ Àü¾ÐÀ» °É¾úÀ» ¶§ Àü·ù¸¦ È긮Áö ¸øÇÏ´Â ¹°Áú·Î ¹ÝµµÃ¼ °øÁ¤¿¡ ¾²ÀÌ´Â À¯Àüü´Â Silicon Dioxide(SiO2)¿Í Silicon Nitride(Si3N |
Diode |
Di-Electrode¸¦ ÁÙÀÎ ¸»·Î½á ¿ø·¡´Â 2±Ø ¼ÒÀÚ ¸ðµÎ¸¦ ¶æÇÏ´Â °ÍÀ̳ª ÀϹÝÀûÀ¸·Î ¹ÝµµÃ¼ÀÇ 2±Ø ¼ÒÀÚ¸¦ °¡¸®Å°´Â °æ¿ì°¡ ¸¹À¸¸ç, ±× Áß¿¡¼µµ PN Junction Diode°¡ ¸¹À¸¹Ç·Î ÈçÈ÷ Diode¶ó°í Çϸé PN Junction Diode¸¦ ÀǹÌÇϱ⵵ ÇÑ´Ù. Áï Diode´Â Àü·ù¸¦ ÇÑÂÊ ¹æÇâÀ¸·Î¸¸ È帣°Ô ÇÏ´Â µÎ ´ÜÀÚ ¼ÒÀÚÀÌ´Ù. |
DI Water |
De-Ionized Water |
Doner |
¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚÀÇ Æ¯¼ºÀ» n-TypeÀ¸·Î Çü¼ºÇϱâ À§ÇÏ¿© Àüµµ´ë¿¡ ÀÚÀ¯ÀüÀÚ¸¦ ÁÖÀÔÇÏ´Â ºÒ¼ø¹° ¿øÀÚ·Î ¿ø¼ÒÁÖ±âÀ²Ç¥»óÀÇ 5Á· ¿øÀÚ(Phosphorus and Arsenic)¸¦ ¸»Çϸç, Germaium(Ge)À̳ª Silicon(Si)°ú °°Àº ´ÙÀ̾Ƹóµå °áÁ¤±¸Á¶·Î °øÀ¯°áÇÕÀ» ÇÏ°í ÀÖ´Â ¹ÝµµÃ¼ °áÁ¤¼Ó¿¡ ºÒ¼ø¹°(Dopan |
Drain |
FET(Field Effect Transistor)ÀÇ Àü±ØÀÇ Çϳª¸¦ ¸»ÇÑ´Ù. DrainÀº Àü·ù°¡ Èê·¯ µé¾î°¡´Â Àü±ØÀ̸ç, Åë»óÀÇ »ç¿ë¹ýÀÎ SourceÀÇ Á¢Áö ¹æ½Ä¿¡¼´Â ÃâÀ» ²¨³»´Â Àü±ØÀÌ µÈ´Ù. Áï Bipolar TransistorÀÇ Collector¿¡ ÇØ´çÇÏ´Â Àü±ØÀ̶ó°í ÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. |
DRAM |
Dynamic Random Access Memory |
Dummy Wafer |
»ý»ê Wafer¿Í °°ÀÌ ÅõÀÔµÇ¾î »ý»ê Wafer Ư¼ºÀÇ ±ÕÀϼºÀ» µµ¸ðÇϱâ À§ÇÏ¿© ÀåºñÀÇ Æ¯¼ºÀ» ¾Ë±â À§ÇØ »ç¿ëÇÏ´Â Wafer. |
Electron |
¿øÀÚÀÇ ÇÙ ÁÖÀ§¸¦ ȸÀüÇÏ´Â ÇÏÀüÀÔÀÚ·Î, ¿øÀÚ¿Í ¿øÀÚÀÇ °áÇÕÀº ÀÌ ÀüÀÚµéÀÇ °áÇշ¿¡ ÀÇÇØ ÀÌ·ç¾îÁö¸ç, °¡ÇØÁø Àü°è¿¡ ÀÇÇØ ¿øÀÚÇÙÀÇ ±¸¼ÓÀ¸·ÎºÎÅÍ ¹þ¾î³ ÀüÀÚÀÇ À̵¿¿¡ ÀÇÇØ ±Ý¼ÓÀ̳ª ¹ÝµµÃ¼ÀÇ Àü±â Àüµµ Çö»óÀÌ ÀϾÙ. ÀüÀÚ´Â ÀüÇϸ¦ °¡Áö°í ÀÖÀ¸¹Ç·Î Àü°è³ª ÀÚ°è¿¡ ÀÇÇØ ¿îµ¿ÀÇ ¿µÇâÀ» ¹ÞÀ¸¸ç, ¿¿¡³ÊÁö¿Í ºû¿¡³ÊÁö¿¡ ÀÇÇØ ¹°Áú ¿ÜºÎ·Î ¹æÃâµÇ±âµµ ÇÑ´Ù. |
EM |
Electro-Migration |
EPROM |
Erasable Programmable ROM |
FAB |
|
FET |
Field Effect Transistor |
Flash Memory |
EEPROM(Electrocally Erasable Programable ROM)ÀÇ ÀÏÁ¾À¸·Î ChipÀüü ȤÀº Block´ÜÀ§·Î ³»Àå DataÀÇ ¼Ò°Å°¡ °¡´ÉÇÏ°í ±âÁ¸ÀÇ EEPROM¿¡ ºñÇØ ½Ñ°¡°Ý¿¡ Á¦Á¶ÇÒ ¼ö ÀÖ´Â ºÒÈֹ߼º ±â¾ï¼ÒÀÚÀÌ´Ù. |
Gate |
FET(Field Effect Transistor)ÀÇ Á¦¾îÀü±Ø¿¡ ÇØ´çµÇ´Â °ÍÀ¸·Î Bipolar TransistorÀÇ Base´ÜÀÚ¿¡ ÇØ´çµÇ´Â ¿ë¾î. |
Germaium |
¿øÀÚ¹øÈ£°¡ 32ÀÎ 4Á· ¿ø¼Ò·Î Silicon°ú ÇÔ²² °¡Àå Àß ¾Ë·ÁÁø ¹ÝµµÃ¼ Àç·áÀÌ´Ù. 1886³â µ¶ÀÏÀÇ ÈÇÐÀÚ À®Å¬¸®¿¡ ÀÇÇØ ¹ß°ßµÇ¾î ±×ÀÇ Á¶±¹ µ¶ÀÏÀÇ À̸§À» ¶°¼ ºÙ¿©Áø À̸§ÀÌ´Ù. |
Hole |
¹ÝµµÃ¼ ¼Ó¿¡¼ °¡ÀüÀڴ뿪¿¡ ÀÖ´Â ÀüÀÚÀÇ À̵¿À¸·Î »ý±â´Â ºñ¾îÀÖ´Â ÀüÀÚÀÇ ÁØÀ§¸¦ ¸»Çϸç, Á¤°øÀ̶ó°í ÇÑ´Ù. |
Impurty |
Doner¿Í Accepter¿Í °°ÀÌ Æ¯Á¤ÇÑ ¸ñÀûÀ¸·Î ±âÆÇ¿¡ ÁÖÀÔÇÏ´Â ¹°Áú. |
IC |
Integrated Circuit |
Inspection |
WaferÀÇ ÀÌ»óÀ¯¹«¸¦ Çö¹Ì°æÀ̳ª À°¾ÈÀ¸·Î °Ë»çÇÏ´Â °øÁ¤. |
Insulator |
¹°ÁúÀÇ ¿¡³ÊÁö´ë ±¸Á¶¿¡ ÀÖ¾î¼ Valance Band´Â ÀüÀÚ°¡ ²Ë Â÷ÀÖ°í Conduction Band¿Í Valance BandÀÇ ¿¡³ÊÁö GapÀÌ ¸Å¿ìÅ©¸ç Forbidden Band³»ÀÇ ºÒ¼ø¹°µî¿¡ ÀÇÇÑ ¿¡³ÊÁö ÁØÀ§°¡ Á¸ÀçÇÏÁö ¾Ê±â ¶§¹®¿¡ »ó¿Â¿¡¼ Conduction Band, Valance Band¿¡ Àü±â¸¦ ¿î¹ÝÇÒ ¼ö ÀÖ´Â Carrier°¡ Á¸ÀçÇÏÁö ¾Ê¾Æ Àü±â°¡ ÅëÇÏÁö ¾Ê´Â ¹°ÁúÀ» ¸»ÇÑ´Ù. |
Ion |
¿øÀÚ°¡ ÀüÀÚ¸¦ ¾ò°Å³ª ÀÒÀº »óŸ¦ ¸»Çϸç, ¿øÀÚ°¡ ÀüÀÚ¸¦ ¾ò°Ô µÇ¸é À½ÀÇ ÀüÇϸ¦ ¶ì°ÔµÇ°í, ÀüÀÚ¸¦ ÀÒÀ¸¸é ¾çÀÇ ÀüÇϸ¦ ¶í´Ù. À½ÀüÇϸ¦ ¶ì´Â ÀÌ¿ÂÀ» À½ÀÌ¿Â, ¾çÀüÇϸ¦ ¶ì´Â ÀÌ¿ÂÀ» ¾çÀÌ¿ÂÀ̶ó°í ÇÑ´Ù. |
IR |
Implanted Resistor |
Isolation |
¹ÝµµÃ¼ ÁýÀûȸ·Î¿¡¼´Â ÇϳªÀÇ Chip¼Ó¿¡ ¸¸µé¾îÁö´Â °¢°¢ÀÇ È¸·Î ¼ÒÀÚ¸¦ ¼·Î ºÐ¸®ÇÏ¿© Àü±âÀûÀ¸·Î µ¶¸³µÈ »óÅ·Π¸¸µé¾î ³õÀ» ÇÊ¿ä°¡ Àִµ¥, ÀÌ°ÍÀ» ºÐ¸®(Seperation) ¶Ç´Â °í¸³(Isolation)À̶ó ÇÑ´Ù. |
LCD |
Liquid Crystal Display |
LED |
Light Emitting Diode |
LOCOS |
Local Oxidation of Silicon |
MCU |
MPU¿¡ I/OºÎ¿Í ¸Þ¸ð¸®±â´ÉÀ» ÇϳªÀÇ Chip¿¡ ±¸ÇöÇÑ ³í¸®¼ÒÀÚ. |
Module |
±â¾ï¿ë·®ÀÇ Áõ°¡¸¦ À§ÇØ ÀÏÁ¤¿ë·®ÀÇ ±â¾ï¼ÒÀÚ¸¦ PCB»ó¿¡ Á¶ÇÕÇÑ Á¦Ç°. |
MOS |
Metal-Oxide-Semiconductor |
MPU |
ÄÄÇ»ÅÍÀÇ Á¦¾îÀåÄ¡ÀÇ ¿¬»ê¹× ³í¸® ÀåÄ¡¸¦ ÇϳªÀÇ Chip»ó¿¡ ±¸ÇöÇÑ ³í¸®¼ÒÀÚ. |
N-Channel |
PÇü ±âÆÇ¿¡»çÀÌ¿¡ È帣´Â Àü·ùÀÇ Åë·ÎÀÎ ChannelÀÌ ÀüÀÚ¿¡ ÀÇÇؼ Çü¼ºµÈ °ÍÀ» ¸»ÇÑ´Ù. |
N-Type | ¹ÝµµÃ¼¿¡¼´Â Àü±âÀüµµ¿¡ ±â¿©ÇÏ´Â Carrier°¡ ÀüÀÚ, Á¤°ø ¹× ±× ¾çÂÊ Áß ¾î´À °ÍÀÌ ÁÖü°¡ µÇ´Â°¡¿¡ µû¶ó¼ ¼¼°¡Áö ÀüµµÇüÀ¸·Î ³ª´µ´Âµ¥, ±× Áß ÀüÀÚ°¡ CarrierÀÇ ÁÖü°¡ µÇ´Â ¹ÝµµÃ¼¸¦ n-Type ¹ÝµµÃ¼¶ó°í ÇÑ´Ù. |
Passivation |
Wafer¿¡ Àû¿ëµÇ´Â Silicon Nitride ¶Ç´Â Silicon DioxideÀÇ ÃÖÁ¾ º¸È£¸·À» ¸»ÇÑ´Ù. |
P-Channel |
NÇü ±âÆÇ¿¡ PÇü È®»ê¿µ¿ªÀ» Çü¼ºÇÑ MOS FET¿¡ ÀÖ¾î¼ Àü·ùÀÇ Åë·ÎÀÎ ChannelÀÌ Àü°ø¿¡ ÀÇÇؼ Çü¼ºµÈ °ÍÀ» ¸»ÇÑ´Ù. |
Probe |
|
P-Type |
¹ÝµµÃ¼¿¡¼´Â Àü±âÀüµµ¿¡ ±â¿©ÇÏ´Â Carrier°¡ ÀüÀÚ, Á¤°ø ¹× ±× ¾çÂÊ Áß ¾î´À °ÍÀÌ ÁÖü°¡ µÇ´Â°¡¿¡ µû¶ó¼ ¼¼°¡Áö ÀüµµÇüÀ¸·Î ³ª´µ´Âµ¥, ±× Áß Àü°øÀÌ CarrierÀÇ ÁÖü°¡ µÇ´Â ¹ÝµµÃ¼¸¦ p-Type ¹ÝµµÃ¼¶ó°í ÇÑ´Ù. |
Quartz |
Silicon »êȹ°ÀÇ ´Ù¸¥ À̸§À¸·Î ³ôÀº ³»¿¼ºÀ» °®°í ÀÖ¾î È®»ê Tube µîÀÇ ¹ÝµµÃ¼ °øÁ¤ÀåÄ¡¿¡ ¸¹ÀÌ ¾²ÀδÙ. |
SAM |
Serial Access Memory |
Shrink Version | ÀÏÁ¤¸éÀû³»¿¡¼ ´õ ¸¹Àº ±â¾ï¼ÒÀÚÀÇ È®º¸¸¦ À§ÇÏ¿© ±âÁ¸ÀÇ ½ÇÁ¦¸éÀûÀ» Ãà¼ÒÇÏ¿© Á¦Ç°ÈÇÑ Á¦Ç°. |
Silicon |
¿øÀÚ¹øÈ£ 14ÀÎ 5Á·ÀÇ ¿ø¼Ò(±Ô¼Ò)·Î¼ ¹ÝµµÃ¼ Àç·á·Î ³Î¸® »ç¿ëµÈ´Ù. |
Silicon Nitride |
ÀϹÝÀûÀ¸·Î Passivation, Masking, ¶Ç´Â Insulating Layer·Î »ç¿ëµÇ´Â ¹°Áú. |
Silicon
Dioxide |
SiliconÀÌ »ê¼Ò¿Í °áÇÕÇÑ »êȸ·À¸·Î º¸Åë Oxide¶ó ºÎ¸¥´Ù. |
Smock |
ûÁ¤½Ç¿¡¼ ÀÔ´Â ÀÛ¾÷º¹À» ¸»ÇÏ¸ç ¸ÕÁö°¡ ³ªÁö ¾ÊÀ¸¸ç ³»ºÎÀÇ ¸ÕÁöµµ ¹ÛÀ¸·Î ³ª¿ÀÁö ¾Ê´Â´Ù. |
SRAM |
Static Random Access Memory |
Test |
|
Transistor |
¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ·Î ¸¸µç ÁõÆø¼ÒÀÚ¸¦ ÀϹÝÀûÀ¸·Î Transistor¶ó°í Çϴµ¥, ÀÌ´Â Transfer Signal Through a VaristorÀÇ ¾à¾îÀÌ´Ù. ÃÖÃÊ¿¡ ¸¸µé¾îÁø °ÍÀÌ Á¡Á¢ÃËÇü Æ®·£Áö½ºÅÍÀ̸ç, ±×ÈÄ PNP ¶Ç´Â NPN Á¢ÇÕÀ» °¡Áø Æ®·£Áö½ºÅÍ¿Í Àü°èÈ¿°ú Æ®·£Áö½ºÅÍ°¡ µîÀåÇÏ¿´´Ù. |
Tweezer |
Wafer¸¦ Àâ´Âµ¥ »ç¿ëÇÏ´Â µµ±¸. |
Wafer |
Á÷Á¢È¸·Î¸¦ ¸¸µé±â À§ÇÑ ¹ÝµµÃ¼ ¹°ÁúÀÇ ´Ü°áÁ¤À» ¼ºÀå½ÃŲ ±âµÕ¸ð¾çÀÇ IngotÀ» ¾ã°Ô Àß¶ó¼ ¿øÆǸð¾çÀ¸·Î ¸¸µç°Í. |