MEMORI ROM,PROM,EPROM,EEPROM,RAM static,RAM dinamic
Descriere
Z80 este complect static,prin urmare utilizatorul poate stopa pe fiecare ciclu,procesorul pentru depanari sau verificari. Introducerea regimului pas cu pas se face foarte simplu prin oprirea semnalului de tact . Microprocesorul Z80 necesita o singura linie de tact,o singura tensiune, iar cele 3 magistrale apar distinct in exterior. Magistrala de control este subdivizata in linii de control ale sistemului si linii de control ale procesorului. Liniile de control ale sistemului sint:
M1(NON MACHINE CYCLE1) -generat de procesor prin care se indicaa faptul ca ciclul masina in desfasurare este un ciclu de aducere a unei instructiuni.
MREQ(MEMORY REQUEST) -semnal generat de procesor prin care see valideaza adresa de pe magistrala de adrese pentru o operatie de citire/scriere a memoriei
IOREQ(INPUT/OUPUT REQUEST) -semnal prin care se valideaza adresa coorespunzatoare unui dispozitiv de I/E pentru o operatie de intrare/iesire.Tot acest semnal este folosit pe durata primului ciclu masina M1 pentru a confirma recunoasterea unei intreruperi
Memoria 2708 este organizata in 1024x8 biti si are un tip de acces tipic de 450 ns.Ea este de asemenea compatibila cu memoria ROM 2308 si poate inlocui tipul EPROM 2704 (512x8 biti)sau poate fi inlocuita de tipul 2716(2048x8 biti)
Conexiunile si diagramele vor fi prezentate mai jos
Intrarea pentru selectia capsulei,/CS serveste si extinderii planului de memorie
Toate intrarile si iesirile sint compatibile TTL iar iesirile au facilitatea SIR(stare de impedanta ridicata).
Utilizarea memoriei este foarte simpla,se fixeaza adresa ,se selecteaza capsula si dupa timpul de acces se iese din starea de impedanta ridicata,la iesire aparind octetul inscris in locatia de memorie selectata.
Programarea La livrare si dupa fiecare stergere cu raze ultraviolete toti biti din memorie sint in starea logica '1'.Se programeaza '0' in mod selectiv pe orice bit dorit .
Capsula se pregateste pentru inscriere ridicind intrarea CS/WR (pin20) la 12v
Se selecteaza cuvintul de adresa iar datele de programat se pun pe iesirile de date(D0-D7).
Dupa stabilirea adresei si datelor se aplica un impuls de programare (26v) pe (pin18) dupa care se trece la adresa urmatoare pina la ultima adresa 1023.
RECOMAND CA SCRIEREA STREGEREA CITIREA EPROAMELOR,EEPROAMELOR,ROM,PROM SA SE FACA CU APARATURA SPECIALA PENTRU ACEST SCOP.
Acesta este un ciclu.Trebuie efectuate un numar de N cicluri functie de durata impulsului de programare,Tip,astfel ca sa fie satisfacuta relatia NxTip>100 ms
PLA(Programmable Logic Arrays) Evolutia dispozitivelor semiconductoare programabile s-a facut plecind de la memoriile ROM trecind prin PROM-uri la matricile logice programabile PLA.
Toate dispozitivele fizice ce simuleaza functii logice,inclusiv memoriile ROM PROM pot fi substituite de circuite combinationale realizate cu porti logice SI/SAU.
A SE TINE CONT 64 Kocteti DE MEMORIE POATE INLOCUI 8192 DE INTEGRATE de tip POARTA(DE ACEA VIITORUL APARTINE CALCULATOARELOR MAI ALES ACUM CA ORICE MONTAJ POATE FI EMULAT REAL DE CALCULATOARELE PC.IN ZIUA DE AZI TE GINDESTI CUM SA FACI INTERFATA CU PORTUL LPT,COM SAU RS232 PLUS PROGRAMUL AFERENT ACESTUIA)
Memoria RAM
-statice(stocheaza informatia intr-un circuit basculant bistabil)
-dinamice(stocheaza informatia intr-o capacitate a unui tranzistor MOS


MEMORII STATICE(CITESTE-SCRIE)[RAM]tipul 2102
-este produsa de foarte multe firme sub acelasi simbol ca
INTEL,FAIRCHILD,SIGNETICS,AMD
-subsimboluri diferite ca
NATIONAL -MM2102
TI -TMS4035
SESCOSEM -80102
-actualmente acest tip de memorie este foarte raspindit
-exista de fapt o familie de memorii 2102 care difera intre ele prin puterea consumata si timpul de acces
-aceasta memorie este organizata ca 1024x1 bit si este realizata in tehnologie NMOS
-foloseste o singura tensiune de alimentare de +5v si intrarile si iesirile sint compatibile TTL
Aceasta facilitate permite legarea in paralel a mai multor asemenea capsule la magistrala de date.Conditia care se impune este aceea ca la un moment dat numai o capsula sa fie selectata;celelalte capsule nefiind selectate isi mentin iesirea in starea SIR si in acest fel nu contribuie la magistrala de date
Consumul maxim de putere la aceasta familie este intre 174-289 mW iar timpul de acces intre 250-650 ns.
MEMORII STATICE tipul 2114
Sub acest cod mai multe firme ca INTEL,SIGNETICS si altele produc memorii RAM in diferite variante,cu timpul de acces intre 200-450 ns si consumul intre 370-710 mW.Variantele cu timp de acces mai mic au un consum ridicat.
Memoria 2114 este organizata ca 1024x4 biti si este realizata in tehologie NMOS .Ca si 2102 memoria 2114 are:
1) o singura tensiune de alimentare +5v
2)intrari /iesiri compatibile TTL
3)iesiri SIR(inalta impedanta)
Se remarca faptul ca pinii pentru datele de intrare si iesire sint comuni.
Cind semnalul de validare scriere /WE este '0' registrul datelor de intrare este validat si informatiile memorate pot fi afectate de semnalele de adresa selectie capsula si nivelele logice ale datelor de intrare/iesire.
Din diagrama bloc se poate vedea ca informatiile stocate nu vor fi afectate de semnalele de adresa ,validare scriere si datele de intrare/iesire atit timp cit semnalul selectie capsula /CS este in '0' logic
Datele memorate pot fi schimbate numai in timpul scrierii efective,Tsc care se defineste ca durata in care ambele semnale /CS si /WE sint negative.
Pentru scrierea corecta a datelor adresa trebuie mentinuta stabila pe toata durata Tse si in plus un timp denumit 'terminarea scrierii',Tts,adica pe intreg ciclu de scriere,Tcs.In schimb datele de intrare trebuie mentinute stabile numai pe o durata notata cu Tds la sfirsitul periodei Tse.


MEMORII DINAMICE(CITESTE-SCRIE)[DRAM]
Efectul de scurgeri de sarcini din interiorul tranzistorului MOS descarca condensatorul in citeva mS,ca urmare sarcina trebuie refacuta inainte ca acest condensator sa o descarce sub limita la care reimprospatarea este nesigura
Functie de cum se face aceasta reimprospatare rezulta si complexitatea circuitului de refresare.
Refresarea matricei de memorie organizata in n x m se face pentru toate celulele de pe o linie simultan astfel ca vom vorbi numai de refresarea celor n linii(rinduri) ale matricei.
Refresarea se poate face obtinind accesul la memorie in doua feluri:sincron si asincron iar o data obtinut accesul,reimprospatarea se poate face fie pe toate liniile simultan fie linie cu linie.Accesul asincron se foloseste in cazul refresarii tuturor liniilor simultan.Cererile de refresare sint generate la intervale fixe la fiecare 2 mS (Pentru cazul memoriei organizate pe 64 linii) independente de operatiile desfasurate de microprocesor ,in acel moment.
Accesul sincron consta in refresarea memoriei cind microprocesorul nu are nevoie de aceasta si se face linie cu linie.
Fiecare microprocesor are stari in care nu foloseste memoria in timpul functionari sale indentificind aceste stari,timpul lor poate fi folosit pentru refresare,fara a necesita un controler complicat de refresare care sa supervizeze operatiile cu memoria
Trebuie tinut seama ca exista si stari speciale cind se intrerupe desfasurarea normala a microprocesorului,stari HALT,RESET..
Un controler de refresare ,tinind cont de metoda folosita,tipul microprocesorului si al memoriei trebuie sa includa citeva componente standard

-numarator de refresare de 6(7) biti folositi sa genereze succesiv adresele celor 64 linii (128).
-multiplexor de adresa care asigura memoria dinamica cu adresele liniilor fie de la microprocesor in timpul cererilor de acces la memorie,fie de la numaratorul de refresare in timpul ciclurilor de improspatare.
-un circuit de prioritate care rezolva probleme de acces.
-un oscilator sau divizor de tact care sa genereze timpii obligatorii de refresare
WARNING!
Tot cea fost scris pe pagina de mai sus functioneaza chiar daca este in faza de idee.Probabil trebuiesc aduse citeva corecturi Paginile care vor fi adaugate in lunile urmatoare vor apare destul de greu deoarece textele care au fost scrise in anul 1985 trebuiesc corectate si actualizate la anul 2003