***IMPLANT에 관해 간략히 기록한 것입니다.***

이온 투입법은 웨이퍼의 표면위에 새로운 층을 형성하지 않는다는 점에서 다른 반도체 공정들과 구분이 됩니다. 이에 대신해서 이온투입법은 웨이퍼의 표면위의 세밀한 부분에 전기적 특성을 변화시키는데,이온 투입법은 고전류 가속관과 특별한 도펀트로서의 이온을 웨이퍼의 표면위에 쏘아주기 위해 자기 노리개와 방향타를 사용합니다.

가전자대 혹은 p-type의 소자를 만들기 위해 B, Ga, In과 같은 업셉터 이온을 주입하는데 반면에 전도대와 n-type의 소자를 만들기 위해서는 Sb, As, P, Bi와 같은 불순물을 주입하기도 합니다.주입기는 일반적으로 3mA 이상의 전류를 갖는 고전류와 그 이하의 중전류로 구분됩니다.

이온 주입은 여러 가지 방법으로 도펀트와 다른 원자들을 반도체의 표면 가까이의 영역으로 투입시키는 것을 말하는데, 더 은(Shallow)접합,더 낮은 프로세싱 온도, 그리고 더 정확한 조절등이 필요한 곳에 사용되어 있습니다. 더우기 이온주입과정은 불순물이온의 생성, 5eV에서 1MeV의높은 에너지로의 가속, 그리고 반도체 속으로 불순물등의 투입등에 사용되고 있습니다. 주입된 이온들은 경로를 따라 결정속으로 들어가 반도체의 원자를 교체하는데 투입된 이온들이 격자쪽 위에 안정되는 것은 아니기 때문에 어닐링(가열)을 통해 안정화시켜 주어야 합니다.

【이온주입시스템의 도식화】

간결화된 이온주입시스템의 모형도는 위 그림과 같은데 바람직한 불순물이 이온들은 그림에서 맨 끝에 보여지는 이온 소스에서 생산됩니다. 이온빔은 미리 맞추어진 동작전위로 가속되고 초덤이 맞추어져 최종적으로는 웨이퍼의 표면위로 주사됩니다. 주사는 웨이퍼를 기계적으로 움직이거나, 정전계적으로 혹은 두 가지 방법의 조합으로 이루어 지는데 웨이퍼로의 전기적인 접촉은 주입된 이온을 중화하기 위한 전자의 흐름을 허용합니다