***반도체용어에 관해 간략히 기록한 것입니다.***

Acceptor

반도체 소자특성을 p-Type으로 형성하기위한 불순물 원자로 원소주기율표상의 3족 원자(Boron, Gallium and Indium)를 말하며, Germaium(Ge)이나 Silicon(Si)과 같은 다이아몬드 결정구조로 공유결합을 하고 있는 반도체 결정속에 불순물(Dopant)로서 미량 혼합하면 3가의 원자는 반도체 원자로 부터 전자 1개를 취하여 완전한 결정구조의 공유결합을 이루려는 성질의 반도체 물질로 된다.

Acetic Acid
CH3COOH

무색, 휘발성 기체로 달콤한 냄새가 나며, 허용농도는 1000 ppm, 인화점 43°C의 성질을 갖고 있는 화합물이다. 반도체 공정에서 표면 Cleaning 또는 Nitride Acid(HNO3), Hydrofluoric Acid(HF) 등과 함께 세정 공정 등에서 Uniformity 등을 좋게 하는 완충 용액으로 사용된다.

Active Element

전자부품을 능동소자와 수동소자로 나누어 생각하는 경우가 있는데, 능동소자는 비선형(Nonlinear) 특성을 이용하는 소자로 대표적인 것으로는 진공관, Transistor, FET(Field Effect Transistor), Diode 등이 있다.

Alloy

두 종류 이상의 금속이 용융하여 혼합되는 현상 또는 그 결과로 얻어진 혼합 금속을 말한다.
반도체 공정에 있어서 합금 과정은 n-Type 반도체인 Germaium(Ge)위에 Indium(In)의 입자를 얹어 고온에서 용해시키는 것과 같은 과정으로 진행되며, 이때 반도체 물질과 불순물 입자는 Ohm성 접촉을 이루는데 이러한 형식으로 이루어진 PN 접합을 합금접합(Alloy Junction)이라 한다.
PN접합을 만드는 방법으로는 합금접함이외에 결정을 성장시키는 과정에서 점차로 불순물을 투입하는 성장접합(Growing Junction), 고온에서 불순물을 기체 상태로부터 확산하는 확산접합(Diffused Junction), 전도 형태가 다른 반도체를 점차로 에픽테셜(Epitaxial) 성장시키는 에픽테셜접합(Epitaxial Junction), 불순물 원자를 이온화한 다음 고전계로 가속하여 반도체에 주입하는 이온 주입 공정(Ion Implant) 등이 있다.

Aluminum
Al

원자번호 13인 3족 원소로 반도체 기술에서 Multilevel Metallization을 포함한 IC Metallization에서 가장 자주 사용되는 금속원소. 순수 Al보다 Al Alloy나 또는 다른 Metal과의 조합에 의해서 사용되며, 낮은 Sheet Resistance와 SiO2, Si3N4와 좋은 Adherence를 가지고 있으며, 증착이 쉽고, Pattern형성이 용이 하다는 장접이 있다. 이 것은 진공증착(Vacuum Evaporation)이나 Sputtering 방법을 이용하여 흡착시킨다.

Ambient

확산(Diffusition) 또는 이온 주입 공정(Ion Implant)을 진행할때 주위의 Carrier Gas 종류를 말한다.

Analog IC

Digital IC에 반대되는 말로서 Analog Signal을 취급하는 집적회로를 말한다. Analog IC를 특성에 따라 분리하면 선형 동작만을 대상으로 한 Linear IC와 비선형 동작을 하는 Nonlinear IC로 나누어 진다. 그러나 Linear IC라는 말은 Digital IC에 대비해서 사용하는 경우가 많으며, 이 경우에는 넓은 뜻에서 Analog IC와 같은 용어로 사용된다.

Anion

하나 또는 그이상의 전자를 얻어 음전기성으로 변화된 Ion인 원소(atom) 또는 분자(molecule)

Argon
Ar

아르곤, 원자번호 18인 0족 불활성 원소로 산소와 취환하며, 무색, 무취, 비가연성의 성질을 갖는다.
반도체 공정에서 Particle 등의 오염이 심각하게 영향을 미치는 Sputtering 및 Ion Implant의 Carrier Gas로 사용되며, MOS Device의 Annealing Gas로 또는 Plasma Etching등에 사용된다.

ASIC

Application Socific Integrated Circuit
범용 IC와는 달리 사용자의 주문에 따라 제조되는 주문형 IC를 위미함. 표준화 되어 있지 않고 특정 사용자의 주문에 의해 제작되는 IC로서 반 주문형(Semi-custom)과 완전 주문형(Full-custom) IC의 총칭이다. ASIC이라는 단어는 미국의 Dataquest(전자정보 관련회사)에서 처음 명명한 말로 대표적인 제품으로는 Gate Array와 Standard Cell이 있다.

BB Rate

Book to Bill Ratio
반도체 시장의 수요와 공급의 실상을 나타내는 지표로서 그 값이 1.0일 때는 수요와 공급의 균형을 나타내며, 1.0보다 작을 때는 공급과잉으로 가격하락을 초래하며, 1.0 이상일 때는 공급부족을 나타내어 가격 상승을 가져온다.

Bipolar

Bi는 2, Polar는 Polarity, 즉 극성을 뜻하므로 Bipolar는 쌍극성 또는 2극성이라는 뜻으로 소자의 동작에 다수 Carrier와 소수 Carrier, 즉 전자(Electron)와 전공(Hole)의 양쪽이 관여하고 있는 것을 의미한다. Bipolar의 가장 좋은 예가 보통의 Transistor인 접합형 Transistor로서 전자와 정공 양쪽의 동작으로 Transistor 작용이 얻어진다.

Bipolar Transistor

Transistor의 동작에 전자(Electron)와 전공(Hole)을 동시에 이용하는 Transistor를 말하며, 이것에 대응하는 말에 Unipolar Transistor가 있는데, 이는 전자 또는 전공 중의 어느 한 쪽만을 이용하는 Transistor로 MOS Transistor가 대표적인 예이다.

Buffer

화학반응에 있어서 실제로 반응하는 Ion의 수를 일정하게 유지시켜 산(Acid)이나 용제의 화학반응 상태의 급격한 변화를 막아주는 첨가물.

Capacitor

Carrier

반도체 물질내에서 전기정보를 전달하는 매체인 전자(Electron)와 전공(Hole)

CCD

Charge Coupled Device
빛 등에 의해 유기된 Carrier를 전송시켜 아날로그 신호로 꺼내는 기능을 지닌 소자로 1970년에 BTL의 Boyle 등에 의해 발표된 소자이다. 자기 주사기능과 기억 기능을 겸비한 간단한 MOS구조를 말한다.

Cell

기억소자내에 Data를 저장하기 위해 필요한 최소한의 소자 집합을 지칭함. D램의 셀(Cell)은 1개의 Transistor와 1개의 Capacitor로 구성되어있다.

Channel

FET(Field Effect Transistor)의 Gate 아래 부분인 Source와 Drain사이에 형성된 다수 Carrier의 통로를 말하며 전류가 흐르는 길. FET에서는 이 채널의 형태에 따라 전류의 흐름이 달라지는데 이것은 Gate에 가한 전압으로 제어한다. P-Channel과 N-Channel 두가지가 있다.

Chip

Wafer상에 소자가공이 끝난 상태의 개개의 IC를 말하며, Die, Pellet과 같은 의미의 용어이다.

CMOS

Complementary Metal Oxide Semiconductor
P-Channel과 N-Channel MOS를 하나의 회로에 동시에 구성하여 단위 Transistor의 기능을 발휘하게 한 IC회로로서 소비전력이 작은 장점을 가지고 있다.

Contamination

반도체 Wafer에 물리적 화학적 특성에 영향을 주는 물질을 말한다.

Contact

적층되어 있는 전도층들을 연결시켜 주기 위하여 절연물에 구멍을 뚫은것을 말한다.

CPU

Central Processing Unit
Computer의 일부분으로서 명령을 수행하기 위한 지시나 제어, 연산기능을 갖고 있는 부분으로 인간의 두뇌에 해당하는 부분

Critical Dimension

Mask의 형상을 Wafer에 옮기는 과정에서 Wafer에 재현된 Pattern의 최소 선폭을 말하는 것으로 정해진 CD값을 만족시켜야 원하는 Device를 구성할 수 있다.

Cum Yield

FAB IN에서 제품을 출하하기 까지 4Group(FAB, PROBE, PKG, TEST) Yield를 합산한 수율.

Device

능동적 기능, 비직선적 기능, 변환 기능 등과 같은 특수한 기능을 가진 부품 또는 장치를 말하며, 가공 또는 조립이 완료된 제품을 말한다.

Die

Wafer상에 소자가공이 끝난 상태의 개개의 IC를 말하며, Chip, Pellet과 같은 의미의 용어이다.

Dielectric

절연체 또는 유전체로서 전압을 걸었을 때 전류를 흘리지 못하는 물질로 반도체 공정에 쓰이는 유전체는 Silicon Dioxide(SiO2)와 Silicon Nitride(Si3N4)등이 있다.

Diode

Di-Electrode를 줄인 말로써 원래는 2극 소자 모두를 뜻하는 것이나 일반적으로 반도체의 2극 소자를 가리키는 경우가 많으며, 그 중에서도 PN Junction Diode가 많으므로 흔히 Diode라고 하면 PN Junction Diode를 의미하기도 한다. 즉 Diode는 전류를 한쪽 방향으로만 흐르게 하는 두 단자 소자이다.

DI Water

De-Ionized Water
물속에 녹아있는 무기물 등을 제거하여 세척에 사용하는 탈 이온수이다.

Doner

반도체 소자의 특성을 n-Type으로 형성하기 위하여 전도대에 자유전자를 주입하는 불순물 원자로 원소주기율표상의 5족 원자(Phosphorus and Arsenic)를 말하며, Germaium(Ge)이나 Silicon(Si)과 같은 다이아몬드 결정구조로 공유결합을 하고 있는 반도체 결정속에 불순물(Dopant)로서 미량 혼합하면 5가의 원자는 반도체 원자에 전자 1개를 주어 완전한 결정구조의 공유결합을 이루려는 성질의 반도체 물질이다.

Drain

FET(Field Effect Transistor)의 전극의 하나를 말한다. Drain은 전류가 흘러 들어가는 전극이며, 통상의 사용법인 Source의 접지 방식에서는 출을 꺼내는 전극이 된다. 즉 Bipolar Transistor의 Collector에 해당하는 전극이라고 할 수 있다.

DRAM

Dynamic Random Access Memory
정보를 읽고 쓸수 있는 장치.
반도체 Memory중 MOS Transistor를 사용한 특유의 Memory 방식이 Dynamic Memory인데, 이것은 MOS Transistor의 Gate에 축적된 전하가 방전하는데 시간이 걸리는 점을 역으로 이용한 것이다. 또한 RAM이란 컴퓨터에서 정보의 Wirte와 Read가 자유로운 Memory를 말한다. DRAM은 Capacitor에서 전기를 축적시키는 형태로 정보를 기억, Read하는 Memory이며, Capacitor로부터 전기가 흘러버리기 때문에 항상 정보를 다시 입력하는 기억 유지 동작(Refresh)이 필요하다. Cell의 크기가 작아 고집적화가 가능하며, 수시로 변하는 정보를 일시적으로 기억시켜 두는데 적합하므로 컴퓨터의 Main Memory등에 주로 사용된다.

Dummy Wafer

생산 Wafer와 같이 투입되어 생산 Wafer 특성의 균일성을 도모하기 위하여 장비의 특성을 알기 위해 사용하는 Wafer.

Electron

원자의 핵 주위를 회전하는 하전입자로, 원자와 원자의 결합은 이 전자들의 결합력에 의해 이루어지며, 가해진 전계에 의해 원자핵의 구속으로부터 벗어난 전자의 이동에 의해 금속이나 반도체의 전기 전도 현상이 일어난다. 전자는 전하를 가지고 있으므로 전계나 자계에 의해 운동의 영향을 받으며, 열에너지와 빛에너지에 의해 물질 외부로 방출되기도 한다.

EM

Electro-Migration
배선에 전류가 흐를때 배선을 구성하는 원자가 Joule-Heating에 의한 온도 상승에 힘입어 전자(Electron)의 흐름에 밀려 이동(Migration) 하는 현상을 의미한다. EM 내성에 영향을 주는 요인으로는 배선의 종류(Material, 결정구조, 미세구조), 선폭, 두께, Contact 및 Via 구조, 동작 전류 밀도, 그리고 동작 온도 등이다.

EPROM

Erasable Programmable ROM
자외선 조사등에 의해 저장된 정보를 지우거나 재기억시킬 수 있는 기억소자로, 판독 전용 기억소자의 일종이다.

FAB

FET

Field Effect Transistor
Bipolar Transistor와 달리 다수반송자 즉 전자나 공 중의 하나에 의하여 전류가 형성되며 Gate 전계에 의해 전류를 제어하는 Transistor.

Flash Memory

EEPROM(Electrocally Erasable Programable ROM)의 일종으로 Chip전체 혹은 Block단위로 내장 Data의 소거가 가능하고 기존의 EEPROM에 비해 싼가격에 제조할 수 있는 불휘발성 기억소자이다.

Gate

FET(Field Effect Transistor)의 제어전극에 해당되는 것으로 Bipolar Transistor의 Base단자에 해당되는 용어.

Germaium
Ge

원자번호가 32인 4족 원소로 Silicon과 함께 가장 잘 알려진 반도체 재료이다. 1886년 독일의 화학자 윙클리에 의해 발견되어 그의 조국 독일의 이름을 떠서 붙여진 이름이다.

Hole

반도체 속에서 가전자대역에 있는 전자의 이동으로 생기는 비어있는 전자의 준위를 말하며, 정공이라고 한다.

Impurty

Doner와 Accepter와 같이 특정한 목적으로 기판에 주입하는 물질.

IC

Integrated Circuit
작은 면적에 많은 전자 회로가 서로 연결되어 하나의 회로로서 기능을 갖게한 직접회로.

Inspection

Wafer의 이상유무를 현미경이나 육안으로 검사하는 공정.

Insulator

물질의 에너지대 구조에 있어서 Valance Band는 전자가 꽉 차있고 Conduction Band와 Valance Band의 에너지 Gap이 매우크며 Forbidden Band내의 불순물등에 의한 에너지 준위가 존재하지 않기 때문에 상온에서 Conduction Band, Valance Band에 전기를 운반할 수 있는 Carrier가 존재하지 않아 전기가 통하지 않는 물질을 말한다.

Ion

원자가 전자를 얻거나 잃은 상태를 말하며, 원자가 전자를 얻게 되면 음의 전하를 띠게되고, 전자를 잃으면 양의 전하를 띤다. 음전하를 띠는 이온을 음이온, 양전하를 띠는 이온을 양이온이라고 한다.

IR

Implanted Resistor
Photo에서 확산(Diffusion)까지의 공정을 말한다.

Isolation

반도체 집적회로에서는 하나의 Chip속에 만들어지는 각각의 회로 소자를 서로 분리하여 전기적으로 독립된 상태로 만들어 놓을 필요가 있는데, 이것을 분리(Seperation) 또는 고립(Isolation)이라 한다.

LCD

Liquid Crystal Display
액정(Liquid Crystal)을 이용한 문자나 숫자표시판으로 두개의 유리판사이에 액정을 넣고 전압에 의하여 원하는 문자를 표시하도록 한 장치.

LED

Light Emitting Diode
반도체장치로서 전류가 통과할 때만 빛을 발산하는 다이오드.

LOCOS

Local Oxidation of Silicon
Philips사에 의해서 개발된 부분산화 공정으로 Silicon Nitride를 산화 Mask로 이용하여, MOS FET제조시 Field 영역의 산화막을 성장시키는 기술이다.

MCU

MPU에 I/O부와 메모리기능을 하나의 Chip에 구현한 논리소자.

Module

기억용량의 증가를 위해 일정용량의 기억소자를 PCB상에 조합한 제품.

MOS

Metal-Oxide-Semiconductor
Silicon 기판(Semiconductor)위에 산화막(Oxide)을 형성시키고 그위에 Silicon 전극(Metal)을 형성하여 전장(Electric Field)에 의한 Silicon 표면의 전하를 조절할 수 있는 구조.

MPU

컴퓨터의 제어장치의 연산및 논리 장치를 하나의 Chip상에 구현한 논리소자.

N-Channel

P형 기판에사이에 흐르는 전류의 통로인 Channel이 전자에 의해서 형성된 것을 말한다.

N-Type

반도체에서는 전기전도에 기여하는 Carrier가 전자, 정공 및 그 양쪽 중 어느 것이 주체가 되는가에 따라서 세가지 전도형으로 나뉘는데, 그 중 전자가 Carrier의 주체가 되는 반도체를 n-Type 반도체라고 한다.

Passivation

Wafer에 적용되는 Silicon Nitride 또는 Silicon Dioxide의 최종 보호막을 말한다.

P-Channel

N형 기판에 P형 확산영역을 형성한 MOS FET에 있어서 전류의 통로인 Channel이 전공에 의해서 형성된 것을 말한다.

Probe

P-Type

반도체에서는 전기전도에 기여하는 Carrier가 전자, 정공 및 그 양쪽 중 어느 것이 주체가 되는가에 따라서 세가지 전도형으로 나뉘는데, 그 중 전공이 Carrier의 주체가 되는 반도체를 p-Type 반도체라고 한다.

Quartz

Silicon 산화물의 다른 이름으로 높은 내열성을 갖고 있어 확산 Tube 등의 반도체 공정장치에 많이 쓰인다.

SAM

Serial Access Memory
VIDEO REM 내부회로의 일부로서 Data 출력시 Serial로 출력이 가능하도록 해주는 회로.

Shrink Version

일정면적내에서 더 많은 기억소자의 확보를 위하여 기존의 실제면적을 축소하여 제품화한 제품.

Silicon

원자번호 14인 5족의 원소(규소)로서 반도체 재료로 널리 사용된다.

Silicon Nitride
>Si3N4

일반적으로 Passivation, Masking, 또는 Insulating Layer로 사용되는 물질.

Silicon Dioxide
SiO2

Silicon이 산소와 결합한 산화막으로 보통 Oxide라 부른다.

Smock

청정실에서 입는 작업복을 말하며 먼지가 나지 않으며 내부의 먼지도 밖으로 나오지 않는다.

SRAM

Static Random Access Memory
정보를 읽고 쓸수 있는 기억소자로서 기억소자가 Latch구조로 되어있어 전원이 공급되는 한 정보가 유지된다.

Test

Transistor

반도체 소자로 만든 증폭소자를 일반적으로 Transistor라고 하는데, 이는 Transfer Signal Through a Varistor의 약어이다. 최초에 만들어진 것이 점접촉형 트랜지스터이며, 그후 PNP 또는 NPN 접합을 가진 트랜지스터와 전계효과 트랜지스터가 등장하였다.

Tweezer

Wafer를 잡는데 사용하는 도구.

Wafer

직접회로를 만들기 위한 반도체 물질의 단결정을 성장시킨 기둥모양의 Ingot을 얇게 잘라서 원판모양으로 만든것.

홈으로 GOGOGO!