Introducción
El desempeño del transistor de efecto de campo propuesto por W. Shockley en 1952, es diferente del desempeño del BJT (estudiado anteriormente), ya que el parámetro de control para el JFET es la Tensión en vez de la Corriente.
El JFET es un dispositivo unipolar debido a que la corriente existe tanto en forma de electrones como de huecos. En un FET de canal n la corriente se debe a los electrones, mientras que en un FET de canal p las corrientes se deben a los huecos. El JFET es un dispositivo con muchas ventajas aprovechables al momento de montar un circuito, por ejemplo: presentan una gran impedancia de entrada, por lo cual se prefieren los JFET para la etapa de entrada a un amplificador multietapa debido a su bajo nivel de ruido.
1.- Indique las Diferencias básicas del BJT y el JFET
2.- Comente los Efectos de la Temperatura sobre los JFET
3.- Explique que se conoce como DISRUPCION
4.- Explique que se conoce como REgión de Ruptura
Importante: fecha de entrega el sabado 16.06.2001
Consultas:
Ing. Luis B. Fajardo R. / 016 6473826
Email: lbfajardo@yahoo.com
Biblografia:
Internet
http://www1.ceit.es/asignaturas/fisica-1/teoria/
Dispositivos Electrónicos y Amplificación de Señales
Nueva Editorial INTERAMERICANA