เรื่องของ RAM
            เราจะกล่าวถึงคำอธิบายสั้น ๆ ต่อคำถามที่ว่า RAM ทำงานอย่างไร ? โดยปกติแล้วเราจะรู้กันดีถึงความสัมพันธ์ระหว่าง RAM และ CPU ( Central Processing Unit  หรือ Processor ) บางที CPU ของคุณอาจจะเป็น Intel 486 หรือ Pentium ซึ่งไม่ว่าจะเป็นรุ่นไหน มันคือหัวใจของเครื่องคอมพิวเตอร์ ที่ซึ่งข้อมูลได้ถูกประมวลผลและคำสั่งของโปรแกรมได้ถูก แปลความหมายอยู่ ส่วนหนึ่งที่จะต้องทำหน้างานร่วมกับ CPU คือ หน่วยความจำหลักของระบบ ซึ่งเราเรียกว่า Random Access Memory หรือ RAM โดยอุปกรณ์ทั้งสองจะถือได้ว่าเป็นแกนในชิ้นสำคัญภายในเครื่องคอมพิวเตอร์ของคุณ และส่วนประกอบอื่น ๆ ไม่ว่าจะเป็น ฮาร์ดดิสก์, คอนโทรลเลอร์ และวิดีโอการ์ด คือชิ้นส่วนของอุปกรณ์ที่อยู่บริเวณรอบ ๆ ที่มีผลต่อกิจกรรมการทำงานของหน่วยประมวลผลกลาง และเป็นที่รู้จักกันดีในชื่อของ Peripheral
            CPU จะใช้ RAM เป็นเหมือนพื้นที่หนึ่งสำหรับการเก็บข้อมูล ผลลัพธ์จากการคำนวณและคำสั่งของโปรแกรม โดยโปรแกรมจะเป็นตัวเรียกใช้ข้อมูลที่เก็บขึ้นมาใช้ CPU จะเจาะจงแอดเดรส ( Address ) ของหน่วยความจำให้กับข้อมูลที่ต้องการที่จะดึงขึ้นมา โดยแอดเดรสบัส ( Address Bus ) จะยอมให้ CPU ส่งแอดเดรสไปที่ RAM และ ดาต้าบัส ( Data Bus ) จะยอมให้ข้อมูลจริงทรานเฟอร์ไปที่ CPU ได้ ส่วนคำศัพท์ว่า บัส ( Bus ) เป็นการบอกถึงการติดต่อระหว่างอุปกรณ์ 2 ชิ้นที่ทำหน้าที่ในการติดต่อสื่อสารระหว่างกัน สำหรับมาตรวัดที่สำคัญของประสิทธิภาพการทำงานของ RAM คือ เวลาที่ใช้ในการแอกเซสข้อมูล ( Access Time ) ซึ่งเป็นระยะเวลาที่ใช้ในการส่งผ่านในระหว่างที่ CPU ทำการออกคำสั่งไปยัง RAM เพื่ออ่านชิ้นข้อมูลที่ต้องการขึ้นมาจากแอดเดรสที่เจาะจง รวมไปถึงชั่วระยะเวลาหนึ่งที่ CPU ได้รับข้อมูลนั้นมาจริง ๆ โดยชิปของ RAM ในปัจจุบันนี้จะใช้เวลาในการแอกเซสข้อมูล 60 นาโนวินาที ซึ่งมีความหมายว่า มันจะใช้เวลา 60 นาโนวินาที ( 1 นาโนวินาที มีค่าเท่ากับ ลำดับที่หนึ่งในล้านของวินาที ) เพื่อปฏิบัติงานตามคำสั่งหนึ่งรอบการทำงาน เวลาที่ใช้ในการแอกเซสข้อมูลนี้มีความเร็วมากกว่าชิปรุ่น 100 นาโนวินาที และ 120 นาโนวินาที ที่มีใช้เมื่อไม่กี่ปีที่ผ่านมา แต่ก็ยังช้ากว่าเวลาที่ใช้ในการแอกเซสข้อมูลในอุดมคติ ซึ่งมีค่าเท่ากับศูนย์ โดยความคิดนี้อาจจะเป็นจริงได้ถ้า CPU สามารถเก็บข้อมูลทั้งหมดด้วยตัวของมันเอง และ CPU จะต้องแอกเซสไปที่ Cache Memory ( มักจะเรียกกันว่า Cache ) ซึ่งจะใช้เวลาในการแอกเซสข้อมูลเพียง 20 นาโนวินาที หรือดีกว่านี้ โดยที่ Cache Memory จะมีความเร็วมากกว่าหน่วยความจำหลัก ( Main Memory ) แต่โดยรวมแล้วเครื่องคอมพิวเตอร์ส่วนใหญ่มักจะใช้หน่วยความจำหลักมากกว่าที่จะใช้ Cache Memory ( เนื่องจาก Cache Memory มีราคาแพง ) นอกจากนี้ในการเลือกข้อมูล CPU จะเลือกข้อมูลที่ต้องการถัดไป ข้อมูลเดิมจะต้องถูกแทนที่ด้วยข้อมูลใหม่ที่เลือกเข้าไป ดังนั้นในการคัดเลือกข้อมูลจึงต้องถูกจัดการโดย Cache Controller
            การทำงานของชิปในหน่วยความจำจะอยู่ในรูปแบบของการเก็บแบบอิเล็กทรอนิกชาร์จ โดยที่ชิปเป็นอุปกรณ์ที่ประกอบขึ้นมาจากคาแพ็กซิเตอร์ และทรานซิสเตอร์ ตัวคาแพ็กซิเตอร์จะทำหน้าที่ในการชาร์จ ในขณะที่ตัวทรานซิสเตอร์จะทำหน้าที่ในการควบคุมการเปิดและปิดของตัวชาร์จ ชิปของ RAM เป็นระบบหนึ่งซึ่งสามารถเปลี่ยนแปลงการชาร์จให้อยู่ในสถานะที่เปิดหรือปิดก็ได้ แต่ชิปของ ROM ( Read-Only Memory ) การชาร์จอาจจะอยู่ในสถานะของการเปิดถาวร หรืออยู่ในสถานะของการปิดถาวร สถานะใดสถานะหนึ่งเท่านั้น
           RAM ( Random-Access Memory ) นี่คือศัพท์ที่ครอบคลุมเกี่ยวกับศัพท์ของหน่วยความจำทั้งหมด ซึ่งสามารถที่จะทำการอ่านขึ้นมาหรือจะเขียนลงไปในรูปแบบที่ไม่ใช่เส้นตรง ( Nonlinear ) ได้ ทั้งหมดถือได้ว่าเป็นการแอกเซสข้อมูลแบบสุ่ม ( Random-Access ) แต่สิ่งนี้ไม่ใช่สิ่งที่ทำให้ RAM มีความแตกต่างจาก ROM สาเหตุที่ทำให้ทั้งสองต่างกันคือคอมพิวเตอร์สามารถที่จะอ่านจาก ROM ได้ แต่คอมพิวเตอร์กลับมีความสามารถที่จะทำได้ทั้งอ่านและเขียนกับ RAM
           SIMM ( Single In-line Memory Module ) DIMM ( Dual In-line Memory Module) SIMM และ DIMM ไม่ใช่ประเภทของหน่วยความจำ แต่เป็นโมดูล ( เป็นเซอร์กิตบอร์ดรวมกับชิป ) ซึ่งถูกจัดให้อยู่ในแพ็กเกจหนึ่งของ RAM โดย SIMM จะมีความเก๋ามากกว่า และรองรับ Data Path 32 bits แต่เนื่องจาก Pentium ได้ถูกออกแบบเพื่อให้จัดการกับ Data Path ที่มีความกว้างมากกว่านี้ SIMM จึงจะต้องใช้เป็นคู่บนเมนบอร์ด Pentium ( พวกมันสามารถที่จะใช้บนบอร์ดพื้นฐานของเครื่อง 486 หรือโปรเซสเซอร์ที่ช้ากว่านี้ก็ได้ ) ส่วน DIMM เพิ่งจะถือกำเนิดขึ้นมาไม่ช้าไม่นานมานี้เอง โดยทำการรองรับ 64-bits Path ซึ่งเหมาะที่จะใช้กับ Pentium และโปรเซสเซอร์ตัวอื่น ๆ ที่ออกมาใหม่ ๆ แต่จากจุดยืนของผู้ขายทำให้เกิดข่าวดีขึ้นคือ DIMM หนึ่งตัวจะจัดการการทำงานของสอง SIMM ได้ ดังนั้นจึงสามารถที่จะใช้บนเมนบอร์ด Pentium ได้เช่นกัน
           DRAM ( Dynamic RAM ) ในทุกวันนี้ Dynamic RAM  ถือได้ว่าเป็นประเภทมาตรฐานของหน่วยความจำหลัก และมันก็คือสิ่งที่คุณกำลังพูดถึงเมื่อคุณบอกใคร ๆ ว่าเครื่องคอมพิวเตอร์ของคุณมี RAM 32 MB ใน DRAM ข้อมูลจะถูกเก็บเป็นซีรีส์ของการชาร์จในคาแพ็กซิเตอร์ ซึ่งอยู่ภายในหนึ่งมิลลิวินาทีของการชาร์จแบบอิเล็กทรอนิก โดยที่ตัวคาแพ็กซิเตอร์จะเลิกชาร์จและจำเป็นที่จะต้องทำการรีเฟรชข้อมูลเพื่อเก็บค่าของมันไว้ ดังนั้นการที่จะต้องทำการรีเฟรชเป็นประจำเช่นนี้จึงเป็นเหตุผลของการใช้ศัพท์คำว่า Dynamic ในการตั้งชื่อของมันนั่นเอง
           FPM RAM ( Fast Page-Mode RAM ) ได้ถือกำเนิดขึ้นมาก่อนที่จะมี EDO RAM โดยหน่วยความจำหลักทั้งหมดที่พบได้ในเครื่องคอมพิวเตอร์ทั้งหลายล้วนแล้วแต่เป็นชนิดต่าง ๆ ของ Fast Page Mode ด้วยกันทั้งสิ้น แต่ทำไมล่ะชื่อของมันจึงไม่เป็นที่รู้จักกันดี นั่นคงเป็นเพราะว่า ในการพูดถึง เราไม่จำเป็นที่จะต้องพูดเพื่อระบุประเภทของมัน เนื่องจากมันมีอยู่ประเภทเดียวนั่นเอง สำหรับเวลาที่ใช้ในการแอกเซสข้อมูลของ FPM RAM ได้หยุดไปพร้อมกับความอิ่มตัวของเทคโนโลยี เริ่มจาก 120 นาโนวินาที จนกระทั่งในปัจจุบันเวลาที่ใช้ในการแอกเซสข้อมูลลดลงมาเหลือแค่ 60 นาโนวินาที เท่านั้น แต่อย่างไรก็ตามโปรเซสเซอร์ Pentium จะยอมรับความเร็วของบัสที่ 66 MHz ซึ่งมีความเร็วมากกว่าที่ FPM RAM สามารถจะไล่ตามได้ แต่ความเร็วของโมดูล การทำงานของ RAM ที่เวลา 60 นาโนวินาที ในการแอกเซสเพจแบบสุ่มขึ้นมา  เป็นที่ซึ่งเพจ ( Page ) บอกถึงแหล่งกำเนิดหนึ่งของแอดเดรสสเปซ ( Address Space ) ต่ำกว่า 30 MHz  ซึ่งเป็นความเร็วที่ช้ากว่าความเร็วของบัส ดังนั้นจึงเป็นสาเหตุให้ผู้ผลิต DRAM เสนอความคิดเกี่ยวกับ RAM Cache ขึ้นมา
           EDO RAM ( Extended Data Out RAM ) ทั้ง ๆ ที่มีการโหมโฆษณารอบ ๆ ตัวของมัน แต่ EDO RAM ก็ยังไม่มีอะไรมากไปกว่าประเภทของ FPM RAM แต่เนื่องจากมันรู้ว่าส่วนใหญ่ เมื่อ CPU มีความต้องการหน่วยความจำสำหรับแอดเดรสหนึ่ง ก็จะต้องการข้อมูลในแอดเดรสที่อยู่ใกล้ ๆ บริเวณนั้นด้วย ดังนั้น EDO RAM จะยังคงจับติดอยู่กับตำแหน่งของการแอกเซสในครั้งก่อน เพื่อให้การเข้าถึงแอดเดรสใกล้เคียงกันทำได้เร็วขึ้น ซึ่งจะส่งผลให้ประสิทธิภาพของการเข้าถึงหน่วยความจำดีขึ้นกว่า 40% แต่ EDO RAM จะมีประสิทธิภาพที่ดีได้เมื่อใช้กับความเร็วของบัสที่ 66 MHz เท่านั้น
            BEDO RAM ( Burst Extended Data Out RAM ) ความต้องการในการแอกเซสข้อมูลให้มีความเร็วมากกว่า DRAM นั้นมีมากขึ้น เทคโนโลยีต่าง ๆ จึงต้องมีการพัฒนาเพิ่มขึ้น เพื่อสนองความต้องการที่เกิดขึ้น เทคโนโลยีหนึ่งที่เป็นที่รู้จักกันคือ Bursting โดยในบล๊อกขนาดใหญ่ของข้อมูลจะถูกส่งและทำการประมวลผลในรูปแบบ Burst ของหน่วยที่เล็กกว่า ที่มีการประมวลผลอย่างต่อเนื่อง สิ่งนี้มีความหมายว่า DRAM คือ Burst ที่จัดการรายละเอียดต่าง ๆ ไม่เพียงแต่เกี่ยวกับแอดเดรสของเพจแรกเท่านั้น แต่ยังรวมไปถึงเพจที่อยู่ถัด ๆ ไปด้วย ซึ่ง BEDO RAM สามารถจัดการข้อมูลสี่ส่วนในหนึ่ง Burst ได้ และพร้อมที่จะดำเนินการกับสามส่วนสุดท้ายเพื่อหลีกเลี่ยงสิ่งที่เคยเกิดขึ้น นั่นก็คือความล่าช้าของการประมวลผลในส่วนแรกนั่นเอง ดังนั้นจึงทำให้แอดเดรสทั้งหมดพร้อมที่จะได้รับการประมวลผลอยู่ตลอดเวลา เมื่อ DRAM    ได้รับแอดเดรสแรกมาและในช่วงเวลานั้นเอง มันก็สามารถที่จะทำการประมวลผลในแต่ละส่วนที่เหลือด้วยอัตรา 10 นาโนวินาที อย่างไรก็ตาม ทั้ง ๆ ที่ BEDO RAM มีความเร็วเพิ่มขึ้น แต่ก็ยังยากที่จะทำการเคลื่อนย้ายผ่านไปยังบัสที่ 60 MHz ได้ แต่ถึงกระนั้น BEDO RAM  ยังมีอยู่เพราะผู้ผลิต SDRAM ไม่ได้รู้สึกใส่ใจหรือสนใจกับราคาของ SDRAM ที่กำลังจะกลายมาเป็นคู่แข่งขันกับ EDO RAM ผลลัพธ์ที่ตามมาก็คืองานหนักที่ต้องทำกับ EDO เพื่อทำการเพิ่มเทคโนโลย bursting สำหรับการแข่งขันทางด้านความเร็วกับ SDRAM และจนกระทั่งได้กลายมาเป็น BEDO RAM นั่นเอง
           SDRAM ( Synchronous Dynamic RAM ) ทรัพยากรและวิธีการต่าง ๆ มากมายกำลังเดินหน้าเข้าไปสู่การพัฒนา SDRAM และมันก็เริ่มปรากฏโฉมให้เห็นตามหน้าโฆษณาคอมพิวเตอร์ต่าง ๆ แล้ว และสำหรับเหตุผลสองประการของการเพิ่มความนิยมกันอย่างมากคือ ประการแรก SDRAM สามารถที่จะจัดการความเร็วของบัสได้ถึง 100 MHz ประการที่สอง SDRAM มีความสอดคล้องกับระบบนาฬิกาของตัวมันเอง ซึ่งความสามารถทางด้านเทคนิคนี้วิศวกรคอมพิวเตอร์ทั้งหลายยังรู้สึกได้ว่ามันเป็นอะไรที่ยากจะเข้าใจได้ แม้จนกระทั่งถึงทุกวันนี้ก็ตาม นอกจากนั้นเทคโนโลยีของ SDRAM ยังให้เพจของหน่วยความจำเปิดได้ถึงสองเพจในเวลาเดียวกันอีกด้วย  มาตรฐานใหม่สำหรับ SDRAM ได้ถูกพัฒนาขึ้นโดยองค์กรที่มีชื่อว่า SCIzzL ซึ่งมีที่ตั้งอยู่ที่มหาวิทยาลัยแซนตาคลารา ( รัฐแคลิฟอร์เนีย ) ซึ่งร่วมมือกับบริษัทอุตสาหกรรมชั้นแนวหน้าอีกหลายบริษัท โดยเราเรียกว่า SLDRAM เทคโนโลยีนี้ได้รับการพัฒนาพบ SDRAM โดยการรองรับความเร็วของบัสที่มากกว่าเดิมและการใช้แพ็กเกต ( แพ็กขนาดเล็กของข้อมูล ) เพื่อทำหน้าที่คอยดูแลความต้องการของแอดเดรส การคำนวณเวลา และคำสั่งที่ไปถึง DRAM ผลลัพธ์ที่ได้คือการอาศัยการปรับปรุงที่น้อยกว่าในการออกแบบชิปของ DRAM และรวมไปถึงราคาที่ต่ำกว่ามาก สำหรับหน่วยความจำประสิทธิภาพสูงเช่นนี้
           SRAM ( Static Random Access Memory ) ความแตกต่างระหว่าง SRAM และ DRAM คือ DRAM ต้องถูกรีเฟรชข้อมูลตลอดเวลา ในขณะที่ SRAM จะทำการเก็บข้อมูลไว้และจะไม่ทำการรีเฟรชข้อมูลโดยอัตโนมัติ แต่จะมีเพียงครั้งเดียวเท่านั้นที่จะทำการรีเฟรช นั่นก็คือเมื่อสั่งให้มันทำการรีเฟรชนั่นเอง แต่ถ้าไม่ได้เขียนและสั่งคำสั่งนี้ขึ้นมาก็จะไม่มีการเปลี่ยนแปลงใด ๆ เกิดขึ้นกับ SRAM ด้วยเหตุนี้มันจึงถูกเรียกว่า Static ข้อดีของ SRAM คือมันมีความเร็วมากกว่า DRAM ด้วยความเร็ว 12 นาโนวินาที เมื่อเปรียบเทียบกับ 50 นาโนวินาทีของ BEDO แต่ข้อเสียก็คือ SRAM มีราคาแพงกว่า DRAM โดยส่วนใหญ่แล้วมักใช้เป็นของ SRAM ในเครื่องแคชอันดับที่สอง ( Second Level Cache ) หรือที่เราเรียกกันว่า L2 cache
            L2 cache การแคชคือศิลปะของการทำนายว่าข้อมูลใดจะถูกต้องการต่อไปและมีข้อมูลใดบ้างที่พร้อมอยู่ในมือแล้ว เช่นเดียวกับการคำนวณความเร็วอีกด้วย เมื่อ CPU ของคุณกำหนดข้อมูลที่ต้องการ เราสามารถที่จะพบข้อมูลนั้นได้จากหนึ่งในสี่ของพื้นที่ดังต่อไปนี้ L1 cache, L2 cache หน่วยความจำหลัก และ Physical Storage System ( เหมือนเป็นฮาร์ดดิสก์ตัวหนึ่ง ) L1 cache จะอยู่บน CPU และมีขนาดเล็กกว่าอีกสามพื้นที่นั้นมาก L2 cache คือพื้นที่ของหน่วยความจำที่แยกออกมาต่างหาก และถูกประกอบขึ้นมาจาก SRAM หน่วยความจำหลักจะมีขนาดใหญ่กว่าและประกอบขึ้นด้วย DRAM ส่วน Physical Storage System เป็นส่วนที่มีขนาดใหญ่มากเช่นกัน นอกจากขนาดที่ใหญ่แล้วมันยังทำงานได้ช้ากว่าพื้นที่ที่ใช้กับข้อมูลในส่วนอื่นมาก โดยข้อมูลจะถูกเริ่มต้นหาจากใน L1 cache ก่อน จากนั้นจึงย้ายไปหาที่ L2 cache ต่อจากนั้นจะไปที่ DRAM  และที่สุดท้ายที่ไปหาคือ Physical Storage ในแต่ละขั้นตอนจะค่อย ๆ เป็นไปตามลำดับอย่างช้า ๆ และหน้าที่การทำงานของ L2 cache จะยืนอยู่ระหว่าง DRAM และ CPU ซึ่งจะมีการแอกเซสที่เร็วกว่า DRAM แต่จากความต้องการเทคโนโลยีการทำนายที่เชี่ยวชาญสูงเช่นนี้ จะทำให้เกิดประโยชน์เป็นอย่างมาก สำหรับคำศัพท์ cache hit หมายถึงตำแหน่งของข้อมูลที่พบอยู่ใน L2 เป้าหมายในด้านประสิทธิภาพของระบบแคช คือการทำให้ความเร็วในการแอกเซสข้อมูลของหน่วยความจำมีความเร็วใกล้เคียงกับความเร็วของ CPU
           Async SRAM ( Asynchronous SRAM ) มีขึ้นให้พวกเราใช้ตั้งแต่สมัยที่มีเครื่องรุ่น 386 และก็ยังคงมีอยู่อย่างเหมาะสมใน L2 cache ของเครื่องคอมพิวเตอร์ทั้งหลาย มันถูกเรียกว่า Asynchronous เนื่องจากมันไม่ได้สอดคล้องกับนาฬิกาของระบบ ดังนั้นจึงทำให้ CPU ต้องรอข้อมูลที่ต้องการจาก L2 cache ถึงแม้ว่าการรอนั้นจะไม่นานเท่ากับ DRAM ก็ตาม แต่มันก็ยังเป็นการรออยู่ดี
           Sync SRAM ( Synchronouse Burst SRAM ) เหมือนกับ SDRAM ตรงที่ Async SRAM ก็มีความสอดคล้องกับนาฬิกาของระบบเช่นเดียวกัน ดังนั้นมันจึงมีความเร็วกว่า Async SRAM ซึ่งมักจะใช้สำหรับ L2 cache ด้วยความเร็วประมาณ 8.5 นาโนวินาที แต่โชคร้ายที่ Async SRAM ไม่ได้ถูกผลิดขึ้นมาให้มีประมาณพอที่จะลดต้นทุนลงได้ ดังนั้นดูเหมือนว่ามันถูกกำหนดให้มีชีวิตอยู่แค่ช่วงเวลาสั้น ๆ เท่านั้น และความจริงอีกประการหนึ่งคือมันขาดความสามารถที่จะทำงานกับความเร็วของบัสที่มีมากกว่า 66 MHz
           PB SRAM ( Pipeline Burst SRAM ) เป็นการใช้เทคโนโลยี Burst และเป็นความต้องการที่จะให้ SRAM สามารถทำ Pinepine หรือจัดเก็บได้ ดังนั้น Burst จะถูกจัดการส่วนพื้นฐานที่สำคัญในทันทีทันใด  PB SRAM จะใช้การ Pipeline ในขณะที่มันก็ยังสนับสนุนการสอดคล้องกับความเร็วระบบ มันได้ถูกพัฒนาและปรับปรุงให้มีประสิทธิภาพที่เหนือกว่า Sync SRAM เพราะว่ามันถูกออกแบบเพื่อการทำงานที่ดีกับความเร็วของบัสที่ 75 MHz  และความเร็วที่มากกว่านั้น คุณสามารถที่จะมองหา PB SRAM ได้จากระบบ Pentium II และระบบที่เหนือกว่านั้น
           VRAM ( Video RAM ) ถูกสร้างขึ้นเพื่อจุดประสงค์ที่แน่ชัดสำหรับประสิทธิภาพของวิดีโอ และคุณจะหามันในแบบดั้งเดิมได้จาก การ์ดเร่งความเร็ววิดีโอ หรือบนมาเธอร์บอร์ด ซึ่งเป็นที่รวมของเทคโนโลยีทางด้านวิดีโอ VRAM จะมีหน้าที่ในการเก็บค่าพิกเซล ( pixel ) ของการแสดงภาพกราฟิก และคอนโทรลเลอร์ของบอร์ด จะทำหน้าที่ในการอ่านอย่างต่อเนื่องจากหน่วยความจำนี้ เพื่อทำการรีเฟรชภาพขึ้นมาใหม่ มันไม่เพียงแต่มีจุดประสงค์แค่ให้ประสิทธิภาพของวิดีโอเร็วมากกว่าที่คุณจะใช้บอร์ดมาตรฐานของวิดีโอเท่านั้น แต่มันยังช่วยลดการทำงานอย่างหนักของ CPU อีกด้วย นอกจากนั้น VRAM ยังเป็นหน่วยความจำแบบพอร์ตคู่ ( Dual-Ported ) ซึ่งเป็นพอร์ตที่ใช้สำหรับแอกเซสสองพอร์ตไปยังเซลของหน่วยความจำ โดยพอร์ตหนึ่งทำหน้าที่ในการรีเฟรชภาพขึ้นมาใหม่อยู่ตลอดเวลา ส่วนอีกพอร์ตหนึ่งจะทำหน้าที่เปลี่ยนข้อมูลที่จะแสดง จึงส่งผลให้ประสิทธิภาพของวิดีโอมีความเร็วมากกว่า เมื่อเปรียบเทียบกับ DRAM  และ SRAM ที่มีเพียงพอร์ตเดียว
           WRAM ( Windows RAM ) เหมือนกับ VRAM ตรงที่มันเป็นประเภทหนึ่งของ RAM ที่เป็นแบบคู่และมันยังใช้ได้เป็นอย่างดีสำหรับประสิทธิภาพของกรกฟิก WRAM จะเหมือนกับ VRAM ในด้านของการทำงาน แต่มันจะรองรับแบนด์วิดธ์ที่สูงกว่า ( ประมาณ 25%) นอกจากนี้แล้วยังมีคุณลักษณะเฉพาะของกราฟิกอีกมากมายที่ผู้พัฒนาแอพพลิเคชันสามารถที่จะนำไปใช้ประโยชน์ได้ และยังมีการเพิ่มระบบข้อมูลที่ใช้บัฟเฟอร์คู่ ( Double-buffering data system ) อีกด้วย ซึ่งทำให้เร็วกว่าบัฟเฟอร์ของ VRAM และผลที่ได้จะเร็วกว่าอัตราการรีเฟรชหน้าจอใหม่มากทีเดียว
           SGRAM ( Synchronous Graphics RAM ) ต่างจาก VRAM และ WRAM ทั้ง ๆ ที่ในความเป็นจริงแล้วมันเคยใช้บนการ์ดเร่งความเร็ววิดีโอมาก่อน แต่ที่ต่างกัน คือมันเป็นประเภทหนึ่งของ RAM  ที่เป็นแบบพอร์ตเดียว แต่ประสิทธิภาพของความเร็วจะเป็นแบบคู่ ( Dual-bank ) ซึ่งเพจของหน่วยความจำทั้งสองสามารถเปิดขึ้นมาพร้อมกันได้ ดังนั้นมันจึงทำงานเหมือนกับเป็นพอร์ตคู่ นอกจากนั้นแล้ว SGRAM ยังได้ถูกพัฒนาเพื่อให้กลายเป็นตัวเลือกที่มีความสำคัญในเทคโนโลยีของ 3-D วิดีโอและคุณลักษณะของการเขียนในรูปแบบของบล๊อก ( Block-write feature ) จะเป็นตัวเพิ่มความเร็วของการแสดงผลและยังมีการเคลียร์หน่วยความจำที่เร็วอีกด้วย เนื่องจากวิดีโอแบบสามมิติต้องการการเคลียร์หน่วยความจำที่มีความเร็วสูงมาก ๆ โดยจะต้องอยู่ในช่วง 30 ถึง 40 ครั้งต่อวินาที
           สรุป เทคโนโลยีของ RAM ทั้งหมดเน้นความสำคัญที่ความเร็วและพยายามที่จะให้ข้อเสนอที่มากมายโดยไม่มีการเพิ่มราคาเลย แต่เทคโนโลยีของ CPU กลับมีการพัฒนาที่เร็วกว่า และเทคโนโลยของหน่ายความจำก็จำเป็นที่จะต้องก้าวตามให้ทัน ดังนั้นความต้องการในประเภทที่แตกต่างกันของ RAM จึงอาจจะทำให้คุณกำลังสับสนอยู่ แต่อย่าลืมว่ามันคือผลประโยชน์ที่ดีที่สุดของพวกเรา

********************************

| home | menu | เทคโนโลยี |

10 : 08 : 2541