記 憶 體
顧 名 思 義 ， 記 憶 體 (Random Access Memory - RAM) 即 是 用 來 記 住 資 料 的 物 體 ， 處 理 器 在 運 作 的 過 程 中 ， 會 不 斷 地 索 取 或 產 生 新 的 資 料 ， 但 是 處 理 器 本 身 並 沒 有 足 夠 的 儲 有 空 間 可 放 置 這 些 資 料 ， 因 此 必 須 由 記 憶 體 來 提 供 。 記 憶 體 是 晶 片 製 造 而 成 ， 屬 於 電 子 式 的 儲 存 裝 置 ， 存 取 速 度 快 、 體 精 細 小 是 其 優 點 ； 缺 點 則 是 沒 有 電 源 就 無 法 保 存 資 料 。
Access Time
記 憶 體 的 存 取 時 間 (Access Time) ， 即 是 從 處 理 器 向 記 憶 體 提 出 索 取 資 料 後 ， 直 至 記 憶 體 把 資 料 送 出 的 這 段 時 間 。 通 常 記 憶 體 的 存 取 時 間 會 印 在 晶 片 上 ， 單 位 以 奈 秒 ns ( 10 的 -9 次 方 秒 ) 表 示 ， 也 就 是 從 處 理 器 開 始 要 資 料 到 取 得 資 料 為 止 ， 可 在 幾 多 奈 秒 內 完 成 。
CAS Latency
CAS Latency (CL) 是 指 處 理 器 向 記 憶 體 提 出 索 取 資 料 後 ， 到 記 憶 體 實 際 開 始 讀 出 資 料 所 需 的 等 待 時 間 。 CL=2 是 指 處 理 器 開 始 要 資 料 ， 到 取 得 資 料 的 等 待 時 間 為 二 個 時 鐘 周 期 ， 而 CL=3 的 則 為 處 理 器 需 等 待 三 個 時 鐘 周 期 。
ECC
ECC (Error Checking & Correction) 稱 為 錯 誤 自 動 檢 查 與 更 正 ， 這 是 一 種 資 料檢 查 的 技 術 ， 可 以 檢 查 資 料 是 否 正 確 。 在 只 有 一 個 錯 誤 的 狀 況 下 ， ECC 具 有 自 動 更 正 能 力 。
記 憶 體 種 類
SDRAM (Synchronous DRAM)
SDRAM 稱 為 同 步 動 態 記 憶 體 ， 因 為 它 可 以 與 處 理 器 外 部 頻 率 同 步 運 作 ， 所 以 處 理 器 在 執 行 時 ， 不 會 因 為 要 等 待 記 憶 體 送 資 料 過 來 ， 而 產 生 時 間 上 的 延 遲 。 另 外 ， 記 憶 體 在 速 度 上 必 須 與 處 理 器 配 合 ， 才 不 會 產 生 資 料 遺 失 而 導 到 當 機 。
VCM (Virtual Channel Memory)
VCM 虛 擬 通 道 記 憶 體 ， 是 由 NEC 所 發 展 出 來 的 新 一 代 DRAM 晶 片 ， 其 資 料 的 傳 輸 速 度 與 功 率 比 SDRAM 佳 。 VCM 是 在 SDRAM 的 顆 粒 中 嵌 入 1-2K 的 靜 態 暫 存 快 取 (Static Register Cache) ， 以 提 供 16 個 虛 擬 通 道 (Virtual Channel) 來 加 快 多 重 工 作 環 境 的 處 理 速 度 。
RDRAM (Rambus DRAM)
RDRAM 是 由 Intel 主 推 的 記 憶 體 規 格 ， 其 最 大 的 特 色 是 工 作 頻 率 可 達 800MHz 。 不 過 由 於 RDRAM 製 作 成 本 過 高 ， 加 上 只 有 甚 少 的 主 機 版 能 夠 支 援 ， 導 致 許 多 記 憶 體 廠 家 都 沒 有 與 趣 生 產 ， 所 以 在 市 場 上 並 不 普 遍 。
DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous DRAM)
DDR SDRAM 由 字 面 上 可 清 楚 發 現 它 外 加 在 SDRAM 的 特 性 ， 也 就 是 加 倍 的 傳 輸 速 率 。 它 可 以 超 越 目 前 133MHz 外 頻 的 SDRAM ， 而 達 到 266MHz 的 工 作 頻 率 。 不 過 DDR SDRAM 的 腳 位 與 目 前 的 DIMM 不 同 ， 所 以 我 們 要 更 換 新 的 主 機 板 ， 才 可 以 享 受 到 這 種 快 速 的 記 憶 體 。